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MUNZINGER Personen

William B. Shockley

amerikanischer Physiker; Nobelpreis (Physik) 1956; Ph.D.
Geburtstag: 13. Februar 1910 London (Großbritannien)
Todestag: 12. August 1989 Stanford/CA
Nation: Vereinigte Staaten von Amerika (USA)

Internationales Biographisches Archiv 39/1989 vom 18. September 1989


Blick in die Presse

Herkunft

William Bradford Shockley wurde am 13. Febr. 1910 als Sohn eines amerikanischen Bergwerkingenieurs in London/England geboren. Im Alter von drei Jahren kehrte er mit seinen Eltern in die USA zurück und wuchs in Kalifornien auf.

Ausbildung

Er besuchte die Hollywood High School bis 1927 und später das California Institute of Technology bis 1932, wo er den Grad eines Bachelor of Science erwarb. Danach lehrte er am Massachusetts Institute of Technology (MIT) in Cambridge/Mass. und erwarb dort gleichzeitig den philosophischen Doktorgrad.

Wirken

1936 trat er in den Forschungsstab des Laboratoriums der Bell-Telephone-Company in Murray Hill, N.J., ein. Er beschäftigte sich dort besonders mit den elektrischen Halbleitern und der Konstruktion von Vakuumröhren. Während des Zweiten Weltkrieges unterbrach er seine Arbeit bei Bell, um 1942 im Auftrag der amerikanischen Marine als einer der Direktoren an dem der Columbia-Universität angeschlossenen Forschungsinstitut für die Unterseeboot-Abwehr zu wirken. Außerdem war S. gleichzeitig beratender Experte des amerikanischen Kriegsministers.

1945 kehrte S. zu Bell zurück. Zusammen mit Dr. Walter H. Brittain und Prof. John Bardeen entwickelte er dort in gemeinsamer Arbeit jenes als Transistor bezeichnete winzige Verstärkerelement, das bei der Konstruktion zahlloser elektronischer Geräte, vom gewöhnlichen Radioapparat bis zum komplizierten Elektronengehirn eine immer größere Rolle spielte und teure und störungsanfällige Verstärkerröhen ersetzte. Die Elektronen werden bei der Verwendung der Transistoren sozusagen durch die "Löcher" im Atomgefüge der Halbleiter gelenkt. Der Strom kann mit geeigneten Vorrichtungen entsprechend beeinflußt und verstärkt werden. Für diese wichtigen Arbeiten wurden alle drei beteiligten amerikanischen Forscher mit dem Nobelpreis für Physik des Jahres 1956 ausgezeichnet.

Zuvor war S. 1946 Gastprofessor an der Princeton Universität, 1947-49 wissenschaftlicher Berater des Policy Council und des Joint Research and Development Board. Von 1951-60 beriet er erneut militärische Dienststellen. Er las 1954 als Gastprofessor am California Institute of Technology. Von 1954-55 war S. Direktor einer Waffenforschungs-Abteilung im Verteidigungsministerium in Washington, von 1955-58 Direktor des Halbleiter-Laboratoriums der Beckman Instruments Inc. 1958-60 leitete er als Präsident die von ihm gegründete "Shockley Transistor Corporation", die 1960 in eine von ihm geleitete Abteilung der Firma "Clevite Transistor" umgewandelt worden ist. Die Firma bildete einen Grundstein für die expandierende Elektronik-Industrie im Silicon Valley in Kalifornien. 1963 kehrte er als Professor für Maschinenbauwissenschaften in den Hochschulbereich (Stanford University) zurück. 1975 ließ er sich emeritieren.

S. ist jedoch trotz all seiner wissenschaftlichen Leistungen und seines Nobelpreises umstritten geblieben wegen seiner im Rassismusverdacht stehenden Theorien über eine angeblich genetisch bedingte Unterlegenheit der Intelligenz der Schwarzen. Dies führte zu harten Kontroversen, genau so wie sein Vorschlag, daß Menschen mit einem IQ unter 100 staatliche Prämien erhalten sollten, wenn sie sich sterilisieren lassen. Zu diesem Zweck wollte er das Programm "Voluntary Sterilization Bonus Plan (VSBP)" lancieren, mit dem er aber nirgends Gehör fand.

Familie

S. war seit 1933 mit Jean Alberta Bailey verheiratet. Aus der geschiedenen Ehe stammen zwei Söhne und eine Tochter. 1955 heiratete er Emmy Lanning. Anfang 1980 machte S. in einem Interview mit "Playboy" publik, daß er zu den mit dem Nobelpreis ausgezeichneten Samenspendern der Sperma-Bank von Robert Graham im kalifornischen Escondido gehöre, deren Ziel es ist, die "intelligente Spitze der Menschheit" zu verbreitern. Bei dieser Gelegenheit bedauerte er auch, daß - verglichen mit seinen eigenen geistigen Fähigkeiten - seine drei Kinder einen auffallenden Rückschritt in dieser Beziehung darstellten. Dafür machte er seine erste Frau verantwortlich, die nicht die gleiche akademische Erziehung aufweisen konnte wie er selbst.

Am 12. Aug. 1989 ist S. im Alter von 79 Jahren in Stanford/Kalifornien gestorben.

Werke

Veröffentlichung: "Electrons and Holes in Semi-conductors" (50) und verschiedene Artikel.

Auszeichnungen

Auszeichnungen: Außer dem Nobelpreis hat S. viele wissenschaftliche Auszeichnungen erhalten, dazu den Ehrendoktorgrad von drei amerikanischen Universitäten. S. hat über 50 amerikanische Patente und wurde 1983 in die kalifornische Hall of Fame für Erfinder aufgenommen.

Adresse

Letzte Adresse: 797 Esplanada Way, Stanford, CA 94305, U.S.A.



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